BSP60,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSP60,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 1000
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSP60,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSP60,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP60,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-73 PNP 1250mW | 当前型号 | SC-73 PNP 45V 1A | 当前型号 |
| 型号： BSP60 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 PNP | 完全替代 | NXP BSP60 单晶体管 双极, 双PNP, -45 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 1000 hFE 新 | BSP60,115和BSP60的区别 |
| 型号： BSP 60 E6433 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 -45V -1A | 功能相似 | TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 | BSP60,115和BSP 60 E6433的区别 |