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BSL302SNH6327XTSA1

BSL302SNH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.7 V

Summary of Features:

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Enhancement mode
.
Avalanche rated
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Pb-free lead plating; RoHS compliant
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Qualified according to AEC Q101

得捷:
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A Automotive 6-Pin TSOP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A 6-Pin TSOP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A Automotive 6-Pin TSOP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP


BSL302SNH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.018 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.1A

上升时间 2.8 ns

输入电容Ciss 750pF @15VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 1.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6-6

外形尺寸

封装 TSOP-6-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BSL302SNH6327XTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSL302SNH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.7 V 搜索库存