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BSL606SNH6327XTSA1

BSL606SNH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.049 ohm, 10 V, 1.8 V

Summary of Features:

.
Enhancement mode
.
Avalanche rated
.
Pb-free lead plating; RoHS compliant
.
Qualified according to AEC Q101

得捷:
MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6


立创商城:
N沟道 60V 4.5A


贸泽:
MOSFET OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R


安富利:
SMALL SIGNAL+P-CH


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP


BSL606SNH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2 W

针脚数 6

漏源极电阻 0.049 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 657pF @25VVds

下降时间 3.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6-6

外形尺寸

封装 TSOP-6-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BSL606SNH6327XTSA1引脚图与封装图
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BSL606SNH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.049 ohm, 10 V, 1.8 V 搜索库存