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BF999E6327HTSA1

BF999E6327HTSA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BF999E6327HTSA1, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

双栅极 MOSFET 四极管

Infineon 双栅极低噪声四极管 MOSFET 射频


得捷:
MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23


欧时:
Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BF999E6327HTSA1, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 20 V


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.03A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23


BF999E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 45 MHz

额定电压DC 20.0 V

额定电流 30 mA

针脚数 3

耗散功率 200 mW

输入电容 2.50 pF

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

增益 27 dB

测试电流 10 mA

输入电容Ciss 2.5pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 20 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Set Top Box, Car Radio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BF999E6327HTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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