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BF999E6433HTMA1

BF999E6433HTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A 3Pin SOT-23 T/R

RF Mosfet N 通道 10 V 10 mA 45MHz 27dB - SOT-23-3


得捷:
MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23 / RF Mosfet N-Channel 10 V 10 mA 45MHz 27dB PG-SOT23


BF999E6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数

频率 45 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 200 mW

增益 27 dB

测试电流 10 mA

输入电容Ciss 2.5pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 20 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF999E6433HTMA1引脚图与封装图
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BF999E6433HTMA1 Infineon 英飞凌 Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A 3Pin SOT-23 T/R 搜索库存