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BFR35APE6327HTSA1

BFR35APE6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BFR35APE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 45 mA, Vce=15 V, HFE:70, 5 GHz, 3引脚 SOT-23封装

射频双极,


得捷:
RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3


欧时:
Infineon BFR35APE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 45 mA, Vce=15 V, HFE:70, 5000 MHz, 3引脚 SOT-23封装


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, 70 hFE


艾睿:
Are you looking for a component that can handle high power radio frequencies? Infineon Technologies&s; BFR35APE6327HTSA1 RF amplifier is your solution. This RF transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 15V 0.045A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.045A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 15V 0.045A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23


BFR35APE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 15.0 V

额定电流 45.0 mA

针脚数 3

耗散功率 280 mW

输入电容 0.64 pF

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 10.5dB ~ 16dB

最小电流放大倍数hFE 70 @15mA, 8V

额定功率Max 280 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For amplifier and oscillator applications in RF Front-end, Wireless Communications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFR35APE6327HTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BFR35APE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BFR35APE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 45 mA, Vce=15 V, HFE:70, 5 GHz, 3引脚 SOT-23封装 搜索库存