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BD179

NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

Description

The device is manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

Features

■ NPN transistor

Applications

■ General purpose switching


得捷:
TRANS NPN 80V 3A SOT32


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Gen Purpose Sw


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


BD179中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.7 mm

高度 10.8 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BD179引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BD179 ST Microelectronics 意法半导体 NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号BD179
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BD179

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOT-32 30W

当前型号

NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

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