
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -1.50 A
极性 PNP
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BD13610S 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-126 PNP -45V -1.5A 1.25W | 当前型号 | 集成电路 | 当前型号 | |
型号: BD136G 品牌: 安森美 封装: TO-225 PNP -45V -1.5A 1250mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BD136G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 1.25 W, -1.5 A, 25 hFE 新 | BD13610S和BD136G的区别 | |
型号: BD136-16 品牌: 意法半导体 封装: SOT-32 PNP 1250mW | 功能相似 | PNP 晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。 | BD13610S和BD136-16的区别 | |
型号: BD136 品牌: 意法半导体 封装: TO-126 P-Channel 1250mW | 功能相似 | PNP 晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。 | BD13610S和BD136的区别 |