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BFU910FX
NXP(恩智浦) 分立器件

晶体管 双极-射频, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE

Designed with semiconductor technology, this RF amplifier from Semiconductors easily operates at high RF frequencies. This product"s minimum DC current gain is 655. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1 V. This RF transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 85 °C.

BFU910FX中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

耗散功率 300 mW

输入电容 0.3 pF

击穿电压集电极-发射极 9.5 V

增益 13.5 dB

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 1200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFU910FX引脚图与封装图
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在线购买BFU910FX
型号 制造商 描述 购买
BFU910FX NXP 恩智浦 晶体管 双极-射频, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE 搜索库存
替代型号BFU910FX
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFU910FX

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-343F 300mW

当前型号

晶体管 双极-射频, NPN, 2 V, 90 GHz, 300 mW, 15 mA, 1200 hFE

当前型号

型号: BFU710F,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-343F 136mW

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BFU910FX和BFU710F,115的区别