BZD27C200P-GS08
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
BZD27C200P-GS08中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 800 mW
测试电流 5 mA
稳压值 200 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-219AB
外形尺寸
高度 1.08 mm
封装 DO-219AB
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C200P-GS08引脚图与封装图
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在线购买BZD27C200P-GS08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C200P-GS08 | Vishay Semiconductor 威世 | 齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification | 搜索库存 |
替代型号BZD27C200P-GS08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZD27C200P-GS08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219 | 当前型号 | 齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification | 当前型号 |
| 型号： BZD27C200P 品牌： 台湾半导体 封装： SMD | 功能相似 | 800mW，BZD27C 系列，Taiwan Semiconductor### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor | BZD27C200P-GS08和BZD27C200P的区别 |