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BCP5316H6433XTMA1

BCP5316H6433XTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTORS

- 双极 BJT - 单 PNP 125MHz 表面贴装型 PG-SOT223-4


得捷:
TRANS PNP 80V 1A SOT223-4


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTORS


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS PNP 80V 1A SOT223-4 / Bipolar BJT Transistor PNP 80 V 1 A 125MHz 2 W Surface Mount PG-SOT223-4-10


BCP5316H6433XTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCP5316H6433XTMA1引脚图与封装图
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