BZD27C56P-M-18中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.2V @200mA
稳压值 56 V
额定功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-219AB
外形尺寸
封装 DO-219AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
BZD27C56P-M-18引脚图与封装图
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在线购买BZD27C56P-M-18
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C56P-M-18 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 56V 7% 800mW Automotive 2Pin DO-219AB T/R | 搜索库存 |
替代型号BZD27C56P-M-18
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： BZD27C56P-M-18 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219 | 当前型号 | Diode Zener Single 56V 7% 800mW Automotive 2Pin DO-219AB T/R | 当前型号 |
| 型号： BZD27C56P-M-08 品牌： 威世 封装： DO-219 | 完全替代 | Diode Zener Single 56V 7% 800mW Automotive 2Pin DO-219AB T/R | BZD27C56P-M-18和BZD27C56P-M-08的区别 |
| 型号： BZD27C56P-GS08 品牌： 威世 封装： SOD123/1206 66V | 类似代替 | BZD27C56P-GS08 稳压二极管 56V 800mW/0.8W SOD123/1206-56V marking/标记 T9 低漏电流/优良的稳定性 | BZD27C56P-M-18和BZD27C56P-GS08的区别 |