BZD27C16P-GS08
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
BZD27C16P-GS08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 19.1 V
耗散功率 800 mW
稳压值 16 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-219AB
外形尺寸
封装 DO-219AB
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C16P-GS08引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BZD27C16P-GS08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C16P-GS08 | Vishay Semiconductor 威世 | 齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification | 搜索库存 |
替代型号BZD27C16P-GS08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZD27C16P-GS08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219 19.1V | 当前型号 | 齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification | 当前型号 |
| 型号： BZD27C16P-M-18 品牌： 威世 封装： DO-219 | 完全替代 | Diode Zener Single 16V 6% 800mW Automotive 2Pin DO-219AB T/R | BZD27C16P-GS08和BZD27C16P-M-18的区别 |