BZD27C5V6P-GS08
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
BZD27C5V6P-GS08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 6.60 V
针脚数 2
耗散功率 800 mW
测试电流 100 mA
稳压值 5.6 V
正向电压Max 1.2V @200mA
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-219AB
外形尺寸
封装 DO-219AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C5V6P-GS08引脚图与封装图
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在线购买BZD27C5V6P-GS08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C5V6P-GS08 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY BZD27C5V6P-GS08 单管二极管 齐纳, 5.6 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 150 °C | 搜索库存 |
替代型号BZD27C5V6P-GS08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZD27C5V6P-GS08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219AB 6.6V | 当前型号 | VISHAY BZD27C5V6P-GS08 单管二极管 齐纳, 5.6 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 150 °C | 当前型号 |
| 型号： BZD27C5V6P-M-08 品牌： 威世 封装： DO-219 | 完全替代 | Diode Zener Single 5.6V 7% 800mW Automotive 2Pin DO-219AB T/R | BZD27C5V6P-GS08和BZD27C5V6P-M-08的区别 |
| 型号： BZD27C5V6P-M-18 品牌： 威世 封装： DO-219 | 完全替代 | Diode Zener Single 5.6V 7% 800mW Automotive 2Pin DO-219AB T/R | BZD27C5V6P-GS08和BZD27C5V6P-M-18的区别 |
| 型号： BZT52H-C5V6,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD-123F | 功能相似 | NXP BZT52H-C5V6,115 单管二极管 齐纳, 5.6 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C | BZD27C5V6P-GS08和BZT52H-C5V6,115的区别 |