BCV65,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BCV65,215中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 75 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 75 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-253-4
外形尺寸
封装 TO-253-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCV65,215引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BCV65,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCV65,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-253-4 NPN PNP 250mW | 当前型号 | SOT-143B NPN+PNP 30V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BCV65 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | NPN / PNP通用晶体管 NPN/PNP general-purpose transistor | BCV65,215和BCV65的区别 |