BSO200P03SNTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSO200P03SNTMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 1.56W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7.4A
输入电容Ciss 2330pF @25VVds
耗散功率Max 1.56W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PG-DSO-8
外形尺寸
封装 PG-DSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BSO200P03SNTMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSO200P03SNTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSO200P03SNTMA1 | Infineon 英飞凌 | DSO P-CH 30V 7.4A | 搜索库存 |
替代型号BSO200P03SNTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSO200P03SNTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DSO P-CH 30V 7.4A | 当前型号 | DSO P-CH 30V 7.4A | 当前型号 |
| 型号： BSO200P03SHXUMA1 品牌： 英飞凌 封装： 8-SOIC P-CH 30V 7.4A | 类似代替 | Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO200P03SHXUMA1, 7.4 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装 | BSO200P03SNTMA1和BSO200P03SHXUMA1的区别 |