BSP613PL6327HUSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-223P-CH 60V 2.9A

表面贴装型 P 通道 60 V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4

得捷:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

安富利:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

BSP613PL6327HUSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1800 mW

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2.9A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 875pF @25VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSP613PL6327HUSA1引脚图与封装图

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