BFN19H6327XTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BFN19H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 30 @30mA, 10V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-4
外形尺寸
封装 SOT-89-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFN19H6327XTSA1引脚图与封装图
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在线购买BFN19H6327XTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFN19H6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号BFN19H6327XTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFN19H6327XTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL PNP 1000mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTORS | 当前型号 |
| 型号： BFN19E6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-89 PNP 1000mW | 功能相似 | SOT-89 PNP 300V 0.2A | BFN19H6327XTSA1和BFN19E6327HTSA1的区别 |