BC517ZL1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 30000 @20mA, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
制造应用 ESD Protection, Polarity Reversal Protection, Steering Logic, Inductive Load Protection, Data Line Protection
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC517ZL1G引脚图与封装图
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在线购买BC517ZL1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC517ZL1G | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC517ZL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC517ZL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 1A 1500mW | 当前型号 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC517G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 1A 1500mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BC517G 双极性晶体管, NPN, 30V, TO-92 | BC517ZL1G和BC517G的区别 |
| 型号： BC517ZL1 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 1A | 完全替代 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | BC517ZL1G和BC517ZL1的区别 |
| 型号： BC517RL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 1A 1500mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC517RL1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 200 MHz, 1.5 W, 1 A, 30000 hFE | BC517ZL1G和BC517RL1G的区别 |