锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BCV49,135
NXP 恩智浦 分立器件
BCV49,135中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 1.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 220 MHz

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCV49,135引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCV49,135
型号 制造商 描述 购买
BCV49,135 NXP 恩智浦 SOT-89 NPN 60V 0.5A 搜索库存
替代型号BCV49,135
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCV49,135

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-89-3 NPN 1300mW

当前型号

SOT-89 NPN 60V 0.5A

当前型号

型号: BCV49,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-89 NPN 1300mW

完全替代

NXP  BCV49,115  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 220 MHz, 1.3 W, 500 mA, 10000 hFE

BCV49,135和BCV49,115的区别

型号: BCV49T/R

品牌: 恩智浦

封装: SOT-89 60V 500mA

类似代替

TRANSISTOR 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

BCV49,135和BCV49T/R的区别