
极性 NPN
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 220 MHz
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCV49,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-89-3 NPN 1300mW | 当前型号 | SOT-89 NPN 60V 0.5A | 当前型号 | |
型号: BCV49,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-89 NPN 1300mW | 完全替代 | NXP BCV49,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 220 MHz, 1.3 W, 500 mA, 10000 hFE | BCV49,135和BCV49,115的区别 | |
型号: BCV49T/R 品牌: 恩智浦 封装: SOT-89 60V 500mA | 类似代替 | TRANSISTOR 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal | BCV49,135和BCV49T/R的区别 |