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BF517E6327HTSA1

BF517E6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 3Pin SOT-23 T/R

Use this RF amplifier from Technologies in your circuit so that it is operating at high RF frequencies. This product"s minimum DC current gain is 40@2mA@1 V|20@25mA@1V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.4@1mA@10mA V. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

BF517E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.28 W

输入电容 0.9 pF

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 40 @2mA, 1V

额定功率Max 280 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BF517E6327HTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BF517E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 3Pin SOT-23 T/R 搜索库存