BCM857BV,315
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NXP
恩智浦
分立器件
BCM857BV,315中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCM857BV,315引脚图与封装图
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在线购买BCM857BV,315
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCM857BV,315 | NXP 恩智浦 | SOT-666 PNP 45V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BCM857BV,315
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCM857BV,315 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-563 PNP | 当前型号 | SOT-666 PNP 45V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BCM857BV,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT666 PNP 300mW | 类似代替 | BCM857 系列 45 V 0.1 A PNP 通用 晶体管 - SOT-666-6 | BCM857BV,315和BCM857BV,115的区别 |