频率 450 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.025A
最小电流放大倍数hFE 25 @4mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 25 @1mA, 10V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BF824,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236AB PNP 250mW | 当前型号 | TO-236AB PNP 30V 0.025A | 当前型号 | |
型号: BF824,235 品牌: 恩智浦 封装: TO-236 PNP 250mW | 类似代替 | TO-236AB PNP 30V 0.025A | BF824,215和BF824,235的区别 | |
型号: BF824W,135 品牌: 恩智浦 封装: SOT-323 PNP | 功能相似 | SC-70 PNP 30V 0.025A | BF824,215和BF824W,135的区别 | |
型号: BF824 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | RF Small Signal Bipolar Transistor | BF824,215和BF824的区别 |