BGT24MTR12E6327XUSA1
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
BGT24MTR12E6327XUSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1050 mW
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1050 mW
封装参数
引脚数 32
封装 QFN
外形尺寸
封装 QFN
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 105℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
BGT24MTR12E6327XUSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BGT24MTR12E6327XUSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BGT24MTR12E6327XUSA1 | Infineon 英飞凌 | RF Transceiver 3.3V 32Pin VQFN EP | 搜索库存 |