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BF1005E6327HTSA1

BF1005E6327HTSA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 4Pin3+Tab SOT-143 T/R

If you need a MOSFET for radio frequency environments, Technologies offers this RF amplifier that amplifies and switches between electronic signals. Its maximum power dissipation is 200 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. Its maximum frequency is 1000 MHz. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

BF1005E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 800 MHz

耗散功率 200 mW

增益 19 dB

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

封装 TO-253-4

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BF1005E6327HTSA1引脚图与封装图
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在线购买BF1005E6327HTSA1
型号 制造商 描述 购买
BF1005E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 4Pin3+Tab SOT-143 T/R 搜索库存
替代型号BF1005E6327HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BF1005E6327HTSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-253-AA

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 4Pin3+Tab SOT-143 T/R

当前型号

型号： BF 2040 E6814

品牌： 英飞凌

封装： SOT-143

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封装： SOT-143 8V 25mA 2.5pF

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