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BCP5216H6327XTSA1

BCP5216H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-223 PNP 60V 1A

- 双极 BJT - 单 PNP 125MHz 表面贴装型 PG-SOT223-4


得捷:
TRANS PNP 60V 1A SOT223-4


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin SOT-223 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223


BCP5216H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 125 MHz

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCP5216H6327XTSA1引脚图与封装图
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