
额定电流 100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
额定电压 30 V
安装方式 Surface Mount
封装 TO-253-4
封装 TO-253-4
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电流镜像
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCV62,235 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-253-4 PNP | 当前型号 | SOT-143B PNP 30V 0.1A | 当前型号 | |
型号: BCV62,215 品牌: 恩智浦 封装: TO-253-4 PNP 250mW | 完全替代 | NXP BCV62,215 双极晶体管阵列, 双PNP, -30 V, 250 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-143B | BCV62,235和BCV62,215的区别 | |
型号: BCV62C,215 品牌: 安世 封装: | 类似代替 | Nexperia BCV62C,215, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 SOT-143B封装 | BCV62,235和BCV62C,215的区别 | |
型号: BCV62B,215 品牌: 安世 封装: | 类似代替 | Nexperia BCV62B,215, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 SOT-143B封装 | BCV62,235和BCV62B,215的区别 |