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BCP5616H6327XTSA1

BCP5616H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BCP5616H6327XTSA1 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:25, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

通用 NPN ,


欧时:
Infineon BCP5616H6327XTSA1 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:25, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装


得捷:
TRANS NPN 80V 1A SOT223-4


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 1A 4-Pin SOT-223 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


BCP5616H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCP5616H6327XTSA1引脚图与封装图
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BCP5616H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BCP5616H6327XTSA1 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:25, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 搜索库存