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BF771E6327HTSA1

BF771E6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

RF NPN 12V 80mA 8GHz 580mW 表面贴装型 PG-SOT23


得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3


欧时:
Infineon BF771E6327HTSA1


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE


艾睿:
The BF771E6327HTSA1 RF amplifier from Infineon Technologies can provide you an alternative to traditional BJTs in that it can work with higher radio frequencies. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BF771E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 8000 MHz

额定电压DC 12.0 V

额定电流 80.0 mA

针脚数 3

耗散功率 580 mW

输入电容 2.25 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 10dB ~ 15dB

最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V

额定功率Max 580 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 580 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BF771E6327HTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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