BYG10J-E3/TR3中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.15V @1.5A
反向恢复时间 4 µs
正向电流 1.5 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AC
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.79 mm
高度 2.09 mm
封装 DO-214AC
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BYG10J-E3/TR3引脚图与封装图
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在线购买BYG10J-E3/TR3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BYG10J-E3/TR3 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Switching 600V 1.5A 2Pin SMA T/R | 搜索库存 |
替代型号BYG10J-E3/TR3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BYG10J-E3/TR3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AC | 当前型号 | Diode Switching 600V 1.5A 2Pin SMA T/R | 当前型号 |
| 型号： BYG10JHE3/TR 品牌： 威世 封装： DO-214AC | 完全替代 | VISHAY BYG10JHE3/TR Standard Power Diode, 600V, 1.5A, Single, 1.15V, 4µs, 30A | BYG10J-E3/TR3和BYG10JHE3/TR的区别 |
| 型号： BYG10JHE3/TR3 品牌： 威世 封装： DO-214AC | 完全替代 | Diode Switching 600V 1.5A 2Pin SMA T/R | BYG10J-E3/TR3和BYG10JHE3/TR3的区别 |
| 型号： BYG10J-E3/TR 品牌： 威世 封装： | 类似代替 | 1.5A，Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。薄型，高度为 1mm 雪崩整流器 | BYG10J-E3/TR3和BYG10J-E3/TR的区别 |