
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC237A 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 45V 100mA | 当前型号 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: BC237 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 45V 100mA | 完全替代 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | BC237A和BC237的区别 | |
型号: BC237B 品牌: 安森美 封装: TO-92 45V 100mA | 类似代替 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | BC237A和BC237B的区别 |