BAR9002LRHE6327XTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
BAR9002LRHE6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250 mW
正向电压Max 1 V
正向电流Max 100 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 PG-TSLP-2
外形尺寸
高度 0.35 mm
封装 PG-TSLP-2
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BAR9002LRHE6327XTSA1引脚图与封装图
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在线购买BAR9002LRHE6327XTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BAR9002LRHE6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | Diode PIN Switch 80V 100mA 2Pin TSLP T/R | 搜索库存 |
替代型号BAR9002LRHE6327XTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAR9002LRHE6327XTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOD-882 | 当前型号 | Diode PIN Switch 80V 100mA 2Pin TSLP T/R | 当前型号 |
| 型号： BAR9002ELE6327XTMA1 品牌： 英飞凌 封装： | 完全替代 | 二极管, 射频/PIN, 单, 0.8 ohm, 80 V, TSLP-2-19, 2引脚, 0.25 pF | BAR9002LRHE6327XTSA1和BAR9002ELE6327XTMA1的区别 |