BF799E6327HTSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans RF BJT NPN 20V 0.035A 3Pin SOT-23 T/R

RF NPN 20V 35mA 800MHz 280mW 表面贴装型 SOT-23-3

得捷:
RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3

艾睿:
Trans RF BJT NPN 20V 0.035A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 20V 0.035A 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-23

BF799E6327HTSA1中文资料参数规格

技术参数

频率 1100 MHz

耗散功率 0.28 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V

额定功率Max 280 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF799E6327HTSA1引脚图与封装图

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BF799E6327HTSA1	Infineon 英飞凌	Trans RF BJT NPN 20V 0.035A 3Pin SOT-23 T/R	搜索库存