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BCX5316H6327XTSA1

BCX5316H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BCX5316H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:25, 125 MHz, 3引脚 SOT-89封装

通用 PNP ,


得捷:
TRANS PNP 80V 1A SOT89


欧时:
Infineon BCX5316H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:25, 125 MHz, 3引脚 SOT-89封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTORS


艾睿:
Do you require a transistor in your circuit operating in the high-voltage range? This BCX5316H6327XTSA1 general purpose bipolar junction transistor, developed by Infineon Technologies, is your solution.


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


BCX5316H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 125 MHz

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-4

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-89-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCX5316H6327XTSA1引脚图与封装图
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BCX5316H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BCX5316H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:25, 125 MHz, 3引脚 SOT-89封装 搜索库存