BC63916_J35Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BC63916_J35Z中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC63916_J35Z引脚图与封装图
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在线购买BC63916_J35Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC63916_J35Z | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN GEN PURP XTOR | 搜索库存 |
替代型号BC63916_J35Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC63916_J35Z 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN GEN PURP XTOR | 当前型号 |
| 型号： BC63916_D27Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 80V 1A 1000mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC63916_D27Z 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 830 mW, 1 A, 25 hFE | BC63916_J35Z和BC63916_D27Z的区别 |
| 型号： BC63916_D74Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 80V 1A 1000mW | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-92 Ammo | BC63916_J35Z和BC63916_D74Z的区别 |