频率 145 MHz
极性 PNP
耗散功率 1.35 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1350 mW
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCP51-16,135 | NXP 恩智浦 | SC-73 PNP 45V 1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCP51-16,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-261-4 PNP 1350mW | 当前型号 | SC-73 PNP 45V 1A | 当前型号 | |
型号: BCP51-16,115 品牌: 恩智浦 封装: TO-261-4 PNP 1350mW | 类似代替 | NXP BCP51-16,115 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 100 hFE | BCP51-16,135和BCP51-16,115的区别 | |
型号: BCP51,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-73 PNP 1350mW | 类似代替 | NXP BCP51,115 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 63 hFE | BCP51-16,135和BCP51,115的区别 | |
型号: BCP51TA 品牌: 美台 封装: SOT-223 PNP 45V 1A 2000mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R; 1K | BCP51-16,135和BCP51TA的区别 |