频率 140 MHz
极性 PNP
耗散功率 1.35 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 50 @5mA, 10V
额定功率Max 1.4 W
耗散功率Max 1350 mW
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCP69,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-261-4 PNP 1350mW | 当前型号 | BCP69 系列 20 V 2 A 表面贴装 PNP 中等功率 晶体管 - SOT-223 | 当前型号 | |
型号: BCP69,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-223 PNP 1350mW | 类似代替 | NXP BCP69,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 650 mW, -2 A, 85 hFE | BCP69,135和BCP69,115的区别 | |
型号: BCP69-16,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT-223 PNP 1350mW | 类似代替 | NXP BCP69-16,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 625 mW, -1 A, 100 hFE | BCP69,135和BCP69-16,115的区别 | |
型号: BCP69-25,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-73 PNP 1350mW | 类似代替 | NXP BCP69-25,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 625 mW, -1 A, 160 hFE | BCP69,135和BCP69-25,115的区别 |