锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BSS205NH6327XTSA1

BSS205NH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS205NH6327XTSA1, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
.
* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3


欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS205NH6327XTSA1, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
N沟道 20V 2.5A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 2.5 A, 0.04 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Use Infineon Technologies&s; BSS205NH6327XTSA1 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with optimos technology.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23


BSS205NH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.04 Ω

极性 N-CH

耗散功率 0.5 W

阈值电压 950 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.5A

上升时间 2.9 ns

输入电容Ciss 315pF @10VVds

下降时间 2.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 0.1 mm

高度 1.3 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSS205NH6327XTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSS205NH6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BSS205NH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS205NH6327XTSA1, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装 搜索库存