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BFP183WH6327XTSA1

BFP183WH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BFP183WH6327XTSA1 , NPN 晶体管, 65 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8000 MHz, 4引脚 SOT-343封装

射频双极,


欧时:
Infineon BFP183WH6327XTSA1 , NPN 晶体管, 65 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8000 MHz, 4引脚 SOT-343封装


得捷:
RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 70 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.065A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.065A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


Win Source:
TRANS RF NPN 12V SOT343


BFP183WH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 8000 MHz

针脚数 4

耗散功率 450 mW

输入电容 1.1 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 22 dB

最小电流放大倍数hFE 70 @15mA, 8V

额定功率Max 450 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-343-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For amplifier and oscillator applications in RF Front-end, Wireless Communications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFP183WH6327XTSA1引脚图与封装图
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在线购买BFP183WH6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BFP183WH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BFP183WH6327XTSA1 , NPN 晶体管, 65 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8000 MHz, 4引脚 SOT-343封装 搜索库存