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BFR181E6327HTSA1

BFR181E6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BFR181E6327HTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70 hFE

射频双极,


得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3


欧时:
Infineon BFR181E6327HTSA1 , NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.02A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.02A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# INFINEON  BFR181E6327HTSA1  Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70


BFR181E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 8000 MHz

额定电压DC 12.0 V

额定电流 20.0 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 175 mW

输入电容 0.35 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 18.5 dB

最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 8V

额定功率Max 175 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 175 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For amplifier and oscillator applications in RF Front-end, Wireless Communications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFR181E6327HTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BFR181E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BFR181E6327HTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70 hFE 搜索库存