BF570,215

NXP 恩智浦分立器件

TO-236AB NPN 15V 0.1A

Bipolar BJT Transistor NPN 15 V 100 mA 490MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB

得捷:
NEXPERIA BF570 - SMALL SIGNAL BI

艾睿:
Trans GP BJT NPN 15V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

富昌:
BF570 Series 15 V 100 mA SMT NPN Medium Frequency Transistor - SOT-23-3

Verical:
Trans GP BJT NPN 15V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
TRANS NPN 15V 0.1A SOT23

BF570,215中文资料参数规格

技术参数

频率 500 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 15 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V

额定功率Max 250 mW

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF570,215引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
BF570,215	NXP 恩智浦	TO-236AB NPN 15V 0.1A	搜索库存

替代型号BF570,215

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BF570,215 品牌： NXP 恩智浦封装： TO-236AB NPN 0.25W	当前型号	TO-236AB NPN 15V 0.1A	当前型号
型号： MMBT2369ALT1G 品牌：安森美封装： SOT-23 NPN 15V 200mA 300mW	功能相似	ON SEMICONDUCTOR MMBT2369ALT1G 单晶体管双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE	BF570,215和MMBT2369ALT1G的区别
型号： MMBT2369LT1G 品牌：安森美封装： SOT-23 NPN 15V 200mA 300mW	功能相似	ON SEMICONDUCTOR MMBT2369LT1G 单晶体管双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE	BF570,215和MMBT2369LT1G的区别
型号： MMBT2369A 品牌：飞兆/仙童封装： SOT-23 NPN 15V 200mA 225mW	功能相似	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2369A 单晶体管双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE	BF570,215和MMBT2369A的区别