BZX584C3V9-V-G-08中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
耗散功率 200 mW
测试电流 5 mA
稳压值 3.9 V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-523-2
外形尺寸
宽度 0.9 mm
封装 SOD-523-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
BZX584C3V9-V-G-08引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BZX584C3V9-V-G-08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX584C3V9-V-G-08 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 3.9V 5% 200mW 2Pin SOD-523 T/R | 搜索库存 |
替代型号BZX584C3V9-V-G-08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX584C3V9-V-G-08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOD-523-2 | 当前型号 | Diode Zener Single 3.9V 5% 200mW 2Pin SOD-523 T/R | 当前型号 |
| 型号： MM3Z3V9C 品牌： 台湾半导体 封装： | 功能相似 | Zener Diode, | BZX584C3V9-V-G-08和MM3Z3V9C的区别 |