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BFR193WH6327XTSA1

BFR193WH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装

射频双极,


欧时:
Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装


得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3


贸泽:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-323 T/R


立创商城:
BFR193WH6327XTSA1


Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Win Source:
TRANS RF NPN 12V 80MA SOT323


BFR193WH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 8000 MHz

额定功率 580 mW

针脚数 3

耗散功率 580 mW

输入电容 1.8 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 10.5dB ~ 16dB

最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V

额定功率Max 580 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 580 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 LNA in RF Front-end, Wireless Communications, For various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFR193WH6327XTSA1引脚图与封装图
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在线购买BFR193WH6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BFR193WH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装 搜索库存