
额定电压DC 32.0 V
额定电流 500 mA
击穿电压集电极-发射极 32 V
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCW31 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 32V 500mA | 当前型号 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: BCW31,215 品牌: 安世 封装: TO-236AB | 功能相似 | 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 190 hFE | BCW31和BCW31,215的区别 | |
型号: BCW31LEADFREE 品牌: Central Semiconductor 封装: | 功能相似 | SOT-23 NPN 20V 0.1A | BCW31和BCW31LEADFREE的区别 |