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BCW31
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 110~220 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| general purpose transistor 描述与应用| 通用

BCW31中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 32.0 V

额定电流 500 mA

击穿电压集电极-发射极 32 V

最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCW31引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCW31 Fairchild 飞兆/仙童 NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号BCW31
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCW31

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 32V 500mA

当前型号

NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号: BCW31,215

品牌: 安世

封装: TO-236AB

功能相似

单晶体管 双极, NPN, 32 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 190 hFE

BCW31和BCW31,215的区别

型号: BCW31LEADFREE

品牌: Central Semiconductor

封装:

功能相似

SOT-23 NPN 20V 0.1A

BCW31和BCW31LEADFREE的区别