
频率 180 MHz
极性 NPN
耗散功率 1250 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 1250 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89-3
封装 SOT-89-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCX56-16,135 | NXP 恩智浦 | SOT-89 NPN 80V 1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCX56-16,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-243AA NPN 1250mW | 当前型号 | SOT-89 NPN 80V 1A | 当前型号 | |
型号: BCX56-16,147 品牌: 恩智浦 封装: TO-243AA NPN 1250mW | 完全替代 | SOT-89 NPN 80V 1A | BCX56-16,135和BCX56-16,147的区别 | |
型号: BCX56-16/T3 品牌: 恩智浦 封装: SOT-89 | 完全替代 | Bipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE13 | BCX56-16,135和BCX56-16/T3的区别 | |
型号: BCX56-16,115 品牌: 恩智浦 封装: UPAK NPN 1.35W | 类似代替 | NXP BCX56-16,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFE | BCX56-16,135和BCX56-16,115的区别 |