BSN20,235
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSN20,235中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 830mW Tc
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 0.173A
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
耗散功率Max 830mW Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSN20,235引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSN20,235
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSN20,235 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT23 N-CH 50V 0.173A | 当前型号 | BSN20 - N沟道TrenchMOS极低电平FET | 当前型号 |
| 型号： BSN20,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB N-Channel 50V 173mA | 类似代替 | N 通道 MOSFET，高达 0.9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | BSN20,235和BSN20,215的区别 |
| 型号： BSN20-7 品牌： 美台 封装： SOT-23 N-CH 50V 0.5A | 功能相似 | BSN20-7 编带 | BSN20,235和BSN20-7的区别 |