锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BCP5316H6327XTSA1

BCP5316H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-223 PNP 80V 1A

- 双极 BJT - 单 PNP 80 V 1 A 125MHz 2 W 表面贴装型 PG-SOT223-4


得捷:
TRANS PNP 80V 1A SOT223-4


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


BCP5316H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 125 MHz

极性 PNP

耗散功率 2 W

增益频宽积 250 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCP5316H6327XTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCP5316H6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BCP5316H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 SOT-223 PNP 80V 1A 搜索库存