BCP53-10,135
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NXP
恩智浦
分立器件
BCP53-10,135中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1350 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCP53-10,135引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCP53-10,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCP53-10,135 | NXP 恩智浦 | SC-73 PNP 80V 1A | 搜索库存 |
替代型号BCP53-10,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCP53-10,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-223 PNP 1350mW | 当前型号 | SC-73 PNP 80V 1A | 当前型号 |
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| 型号： BF720T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 300V 100mA 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BF720T1G 双极晶体管 | BCP53-10,135和BF720T1G的区别 |