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BC857S
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC857S  双极晶体管阵列, 双PNP, -45 V, 300 mW, -200 mA, 125 hFE, SC-70

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -200MA/-0.2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 125~630 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 300MW/0.3W 描述与应用 Description & Applications | PNP型Multi-Chip通用放大器 技术文档PDF下载 | 在线阅读


得捷:
0.2A, 45V, 2


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R


富昌:
BC857S 系列 45 V 200 mA PNP 多芯片 通用 放大器 - SC-70-6


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC857S  Bipolar Transistor Array, Dual PNP, -45 V, 300 mW, -200 mA, 125 hFE, SC-70


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 45V 200MA SC70-6


Win Source:
TRANS 2PNP 45V 0.2A SC70-6


BC857S中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -200 mA

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 125

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

BC857S引脚图与封装图
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在线购买BC857S
型号 制造商 描述 购买
BC857S Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC857S  双极晶体管阵列, 双PNP, -45 V, 300 mW, -200 mA, 125 hFE, SC-70 搜索库存
替代型号BC857S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC857S

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SC-70 PNP -45V -200mA 300mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC857S  双极晶体管阵列, 双PNP, -45 V, 300 mW, -200 mA, 125 hFE, SC-70

当前型号

型号: BC857S-TP

品牌: 美微科

封装:

类似代替

2个PNP 45V 200mA

BC857S和BC857S-TP的区别

型号: BC857BDW1T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 PNP -45V -100mA 380mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC857BDW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363

BC857S和BC857BDW1T1G的区别

型号: BC857CDW1T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 PNP -45V -100mA 380mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC857CDW1T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE

BC857S和BC857CDW1T1G的区别