容差 ±2 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 550 mW
稳压值 30 V
正向电压Max 1.1V @100mA
额定功率Max 550 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-323
封装 SOD-323
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZX84J-B30,115 | NXP 恩智浦 | SOD-323F 30V 550mW | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZX84J-B30,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOD | 当前型号 | SOD-323F 30V 550mW | 当前型号 | |
型号: MM3Z30VB 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOD323F | 功能相似 | 200mW,MM3Z-B、MM3Z-C 系列,Fairchild Semiconductor齐纳电压容差为 2%(B 系列)和 5%(C 系列) 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor | BZX84J-B30,115和MM3Z30VB的区别 | |
型号: BZX84J-C5V1,115 品牌: 安世 封装: SOD | 功能相似 | NXP BZX84J-C5V1,115 单路 齐纳二极管, 5.1V 3% 550 mW, 2引脚 SOD-323F封装 | BZX84J-B30,115和BZX84J-C5V1,115的区别 | |
型号: BZX84J-C4V7,115 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | NXP BZX84J-C4V7,115 单路 齐纳二极管, 4.7V 5% 550 mW, 2引脚 SOD-323F封装 | BZX84J-B30,115和BZX84J-C4V7,115的区别 |